从外观区别DDR和DDR2,DDR3
防呆缺口 DDR内存单【nèi cún dān】🏿面金手【miàn jīn shǒu】指⛪针脚数【zhēn jiǎo shù】量为【liàng wéi】92个【gè】🍱(双面🦏184个【gè】🍱),缺口左⛑边为【biān wéi】🧀52个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴,制品右边为【biān wéi】🧀40个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴;
DDR2内存单【nèi cún dān】🏿面金手【miàn jīn shǒu】指⛪120个【gè】🍱(双面🦏240个【gè】🍱),缺口左⛑边为【biān wéi】🧀64个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴,缺口右📷边为【biān wéi】🧀56个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴;
DDR3内存单【nèi cún dān】🏿面金手【miàn jīn shǒu】指⛪也是120个【gè】🍱(双面🦏240个【gè】🍱),缺口左⛑边为【biān wéi】🧀72个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴,缺口右📷边为【biān wéi】🧀48个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴.
2、DDR内存的【nèi cún de】👎颗粒为长方形【zhǎng fāng xíng】
DDR2和DDR3内存的【nèi cún de】👎颗粒为正方形,而且体【ér qiě tǐ】🍶积大约⚾只有DDR内存颗粒的三【lì de sān】🐭分之一【fèn zhī yī】
3、使用电【shǐ yòng diàn】压不同
DDR2的电压👓1.8V
DDR3的电压👓1.5V
参数不【cān shù bú】😳同之处
电压 VDD/VDDQ |
2.5V/2.5V |
1.8V/1.8V(±0.1) |
1.5V/1.5V(±0.075) |
I/O接口 |
SSTL_25 |
SSTL_18 |
SSTL_15 |
数据传输率(Mbps) |
200~400 |
400~800 |
800~2000 |
容量标准 |
64M~1G |
256M~4G |
512M~8G |
Memory Latency(ns) |
15~20 |
10~20 |
10~15 |
CL值 |
1.5/2/2.5/3 |
3/4/5/6 |
5/6/7/8 |
预取设计(Bit) |
2 |
4 |
8 |
逻辑Bank数量 |
2/4 |
4/8 |
8/16 |
突发长度 |
2/4/8 |
4/8 |
8 |
封装 |
TSOP |
FBGA |
FBGA |
引脚标准 |
184Pin |
240Pin |
240Pin |
关键词:DDR,DDR2,DDR3
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