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从外观区别DDR和DDR2,DDR3

我要评论 2009/11/18 19:34:29 来源:国语自产精品视频在线看 编辑:绿色资源站 [ ] 评论:0 点击:2992次

防呆缺口 DDR内存单【nèi cún dān】🏿面金手【miàn jīn shǒu】指⛪针脚数【zhēn jiǎo shù】量为【liàng wéi】92个【gè】🍱(双面🦏184个【gè】🍱),缺口左⛑边为【biān wéi】🧀52个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴,制品右边为【biān wéi】🧀40个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴;

DDR2内存单【nèi cún dān】🏿面金手【miàn jīn shǒu】指⛪120个【gè】🍱(双面🦏240个【gè】🍱),缺口左⛑边为【biān wéi】🧀64个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴,缺口右📷边为【biān wéi】🧀56个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴;

DDR3内存单【nèi cún dān】🏿面金手【miàn jīn shǒu】指⛪也是120个【gè】🍱(双面🦏240个【gè】🍱),缺口左⛑边为【biān wéi】🧀72个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴,缺口右📷边为【biān wéi】🧀48个针脚【gè zhēn jiǎo】🈴.

2、DDR内存的【nèi cún de】👎颗粒为长方形【zhǎng fāng xíng】

DDR2和DDR3内存的【nèi cún de】👎颗粒为正方形,而且体【ér qiě tǐ】🍶积大约⚾只有DDR内存颗粒的三【lì de sān】🐭分之一【fèn zhī yī】

3、使用电【shǐ yòng diàn】压不同
DDR2的电压👓1.8V
DDR3的电压👓1.5V


 


支持DDR2和DDR3内存 斯巴达克新品BA130到货

参数不【cān shù bú】😳同之处

电压 VDD/VDDQ

2.5V/2.5V

1.8V/1.8V(±0.1)

1.5V/1.5V(±0.075)

I/O接口

SSTL_25

SSTL_18

SSTL_15

数据传输率(Mbps)

200~400

400~800

800~2000

容量标准

64M~1G

256M~4G

512M~8G

Memory Latency(ns)

15~20

10~20

10~15

CL值

1.5/2/2.5/3

3/4/5/6

5/6/7/8

预取设计(Bit)

2

4

8

逻辑Bank数量

2/4

4/8

8/16

突发长度

2/4/8

4/8

8

封装

TSOP

FBGA

FBGA

引脚标准

184Pin

240Pin

240Pin

关键词:DDR,DDR2,DDR3

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