DDR3与GDDR3只有一😬字之差【zì zhī chà】，很多时🚋候大家都会以【dōu huì yǐ】🚖为这二【wéi zhè èr】者差不【zhě chà bú】🚘多，那么它们之间区别在哪呢？

GDDR3用🐄于显存🐈，不用作【bú yòng zuò】🚉系统内【xì tǒng nèi】存🐈GDDR3是不折🌗不扣的【bú kòu de】⏭显存🐈专用【zhuān yòng】🐄，GDDR3采用🐄单端口设计✍，没有分开数据输入和写出通【tōng】道。此外，GDDR3采用🐄了基于电压的【diàn yā de】“伪开漏【wěi kāi lòu】🌿”界面技术。在工作电压上😟，GDDR3显存🐈一般为1.8V，高于普【gāo yú pǔ】🕕通【tōng】DDR3内存【nèi cún】🐈不少【bú shǎo】。

GDDR3能够达🏣到很高的频率，但是却也拥有【yě yōng yǒu】很低【dī】的🦈功耗。同时【tóng shí】，配备🖥GDDR3需要的【xū yào de】外部电🕊子元件更少，约束条件也更【jiàn yě gèng】低【dī】🅰。因此从【yīn cǐ cóng】多方面【duō fāng miàn】的特征来看，GDDR3显存现阶段已【jiē duàn yǐ】🈁经成为显卡的标配显【biāo pèi xiǎn】🌧存，而性能更强的GDDR5也可在🏓高端显🧥卡上看【kǎ shàng kàn】💛到。

DDR3是🚺DDR2内存的【nèi cún de】接班人DDR3工作电压为👃1.5V，大多主流产品频率从【pín lǜ cóng】1333MHz起跳。相比🔶DDR2内存，DDR3内存模组最大【zǔ zuì dà】🎂的改进⛩就是🚺采用了数【shù】🏷据预读😜取机制设计【shè jì】，这样存【zhè yàng cún】储颗粒⏭内核的【nèi hé de】🗓频率只【pín lǜ zhī】有标称实际频率的【lǜ de】1/8。举个例【jǔ gè lì】😶子：DDR3-800的核心【de hé xīn】工作频😜率只有【lǜ zhī yǒu】100MHz；当存储💓颗粒内核工作频😜率为200MHz时，实际标【shí jì biāo】称频率🛡已经达到了1600MHz，即DDR3-1600。

由此可见，GDDR3是显存【shì xiǎn cún】专用【zhuān yòng】，对于显【duì yú xiǎn】卡的需【kǎ de xū】🏛求进行了专门🚨的优化，而DDR3则主要🐭用于系🥑统内存。