CMOS中关于【zhōng guān yú】📴内存的设置比【shè zhì bǐ】较多，但不少【dàn bú shǎo】选项是比较专业的🐁，因此，如果设⏱置后出现问题，请选择“LOAD BIOS DEFAULTS”，恢复可【huī fù kě】靠的设【kào de shè】置参数🛑。下面逐条说明相关内🚹存设置【cún shè zhì】🕹。 

　　Above 1MB Memory Test：设置开机自检⛵时是否检测1M以上内【yǐ shàng nèi】存【cún】。该选项已经在新的BIOS中被淘汰🔗。由于内【yóu yú nèi】存【cún】价格🔹暴跌【bào diē】，电脑用户安装内存容【nèi cún róng】量陡然增加，开机时【kāi jī shí】💪的大容【de dà róng】🔠量内存【liàng nèi cún】自检时🍔间太长【jiān tài zhǎng】，今后【jīn hòu】，即使一遍的内存【cún】检测🥙可能也🤟会出现📍允许/禁止开🤵关。

　　Auto Configuration：设置为💓允许时，BIOS按照最【àn zhào zuì】佳状态设置💥。BIOS可以自🍿动设置【dòng shè zhì】🔉内存定时，因此会禁止一【jìn zhǐ yī】些对内存设置【cún shè zhì】🚒的修改🌓，建议选择允许【zé yǔn xǔ】方式【fāng shì】。

　　Memory Test Tick Sound：是否发🧟出内存自检的【zì jiǎn de】💇滴嗒声。如果您闲它烦【xián tā fán】，可以关🎴闭它们【bì tā men】。 

　　Memory Parity Error Check：设置是否要设置内存【zhì nèi cún】奇偶校验。多在30线内存【xiàn nèi cún】📘条使用时代，已经被【yǐ jīng bèi】👕淘汰【táo tài】🥗。但把非奇偶校验内存【yàn nèi cún】强行进行奇偶🌅校验设置会使🧠电脑无【diàn nǎo wú】😳法开机。

 　　Cache Memory Controller：是否使用高速☝缓存【huǎn cún】。不在流【bú zài liú】🙌行的Award BIOS中使用。

　　Shadow RAM Option：设置系统BIOS或显示🐤卡【kǎ】📄BIOS是否映🥤射到常【shè dào cháng】规内存【guī nèi cún】中【zhōng】。可以加快速度，但也可🔮能造成死机。

　　Internal Cache Memory：是否使👔用【yòng】CPU内部缓存（一级缓【yī jí huǎn】🙌存）。可以提高系统【gāo xì tǒng】性能📓。

　　External Cache Memory：是否使用🍝CPU外部缓存【cún】🧙（主板上【zhǔ bǎn shàng】的【de】二级缓存【cún】🔙）。可以提【kě yǐ tí】高系统【gāo xì tǒng】🥇性能。AMD新的【de】具🦏有两级【yǒu liǎng jí】缓存【cún】🔙的【de】CPU的【de】出现，使主板【shǐ zhǔ bǎn】上的【de】二级缓存【cún】🔙退居成三级缓存【cún】🔙。

　　Concurrent Refresh：直译是【zhí yì shì】同时发生的刷🏬新【xīn】。设置CPU在对其【zài duì qí】它I/O操作时🙉对内存同时刷⛪新【xīn】，可以提🚮高系统【gāo xì tǒng】性能【xìng néng】🛩。

　　DRAM Read Wait State：设置【shè zhì】🍇CPU从内存📛读数据时的等【shí de děng】待时钟周期【zhōu qī】。在内存【zài nèi cún】比😜CPU慢时可以设置【shè zhì】✈更多的等待。

　　DRAM Write Wait State：设置【shè zhì】🐖CPU向内存⛄写数据时的等【shí de děng】待👳时钟周期。在内存【zài nèi cún】比🤣CPU慢时可以设置【yǐ shè zhì】🐖更多的等待👳。

　　Slow Refresh：对质量好的内存【cún】，保持数据的时【jù de shí】间比较长🧑，可以设🏡置更长【zhì gèng zhǎng】🧑的时间【de shí jiān】周期，从而提😌高系统【gāo xì tǒng】📄性能🛒。

　　Shadow Cachecable：把映射🗜到常规内存的🤳BIOS ROM增加高【zēng jiā gāo】速缓存【sù huǎn cún】，使性能【shǐ xìng néng】更进一💩步。

　　Page Mode：使内存〽工作于Page Mode或【huò】🏛Page Interleaved模式【mó shì】。

　　RAS Timeout Counter：使Page Mode或Page Interleaved模式的工作速【gōng zuò sù】🍠度更快。因为有【yīn wéi yǒu】可能会超过【guò】内🐭存🚏RAS周期【zhōu qī】🎢，因此采用计数器来监【qì lái jiān】😮视RAS周期【zhōu qī】🎢，一旦超【yī dàn chāo】🔦过【guò】🎤RAS周期【zhōu qī】🎢，则将周期【zhōu qī】🎢 自动复【zì dòng fù】位为0。

　　Memory Relocation：内存重新定位。即将384的上位🕒内存（Upper Memory Block）数据转🌓储到【chǔ dào】1MB以上的【yǐ shàng de】💕扩展内存中【cún zhōng】。

　　Memory Hole：有人称作内存📫孔洞。把内存【bǎ nèi cún】地址【dì zhǐ】🌼15MB-16MB的💑区域留【qū yù liú】给一些【gěi yī xiē】特殊的💑ISA扩展卡👔使用，可以加【kě yǐ jiā】📓速该卡工作速【gōng zuò sù】度或避免冲突。一般被【yī bān bèi】🚠设置成禁止，除非⭕ISA扩展卡👔有专门【yǒu zhuān mén】的💑说明。

　　DRMA Timing Setting：快页内【kuài yè nèi】存或🏓EDO内存速📬度设置，通常是60ns或70ns选择，对【duì】10ns或更快的【de】SDRAM内存无【nèi cún wú】🏃效😮。

　　Fast MA to RAS Delay：设置内存地址🛣（Memory Address）到内存【dào nèi cún】🍒行地址触发信号【hào】（RAS）之间的🖨延迟时【yán chí shí】间。

　　DRAM Write Brust Timing：CPU把数据👑写如高速缓存📩后【hòu】，再写如内存的【nèi cún de】延迟时间【jiān】✴。

　　Fast RAS To CAS Delay：行地址触【dì zhǐ chù】发信🛒号到列🏀地址触【dì zhǐ chù】发信🛒号之间【hào zhī jiān】😤的延迟时间😤。通常是RAS#下降到CAS#下降之间😤的时间【de shí jiān】😤。

　　DRAM Lead-Off Timing：CPU读/写内存🔔前的时【qián de shí】间【jiān】✖。 

　　DRAM Speculative Read：设置成允许时【yǔn xǔ shí】，读内存🎚的时间比正常时间提前一个【qián yī gè】😫时间周【shí jiān zhōu】期🚚，可以提【kě yǐ tí】高系统性能🛁。 

　　DRAM Data Integrity Mode：选择内【xuǎn zé nèi】存校验💬方式是【fāng shì shì】Parity或🔃ECC。

　　Refresh RAS Assertion：设置内存的行💌地址刷新【xīn】时间周期【zhōu qī】，对质量好的内🛢存可以【cún kě yǐ】延迟刷💞新【xīn】，从而提高系统【gāo xì tǒng】🕰性能。

　　RAS Recharge Period：内存行【nèi cún háng】🏡地址信号预先【hào yù xiān】充电所需要的时间🌤。

　　Fast EDO Path Select：设置选择对【zé duì】💶EDO内存读/写的快【xiě de kuài】速途径，可以提【kě yǐ tí】🚀高系统性能⏱。

　　SDRAM RAS Latency：设置🖨SDRAM内存的行地址触发到【chù fā dào】🌔列地址触发的【chù fā de】时间延【shí jiān yán】🍡迟。

　　SDRAM RAS Timing：设置系【shè zhì xì】⛔统对➡SDRAM内存的【nèi cún de】行地址触发时间🔫，也即刷【yě jí shuā】新时间🔫。 

　　Peer Concurrency：为提高【wéi tí gāo】⬇系统并【xì tǒng bìng】行，使CPU对高速缓存或【huǎn cún huò】内存或【nèi cún huò】PCI设备，或PCI的主控【de zhǔ kòng】信号对【xìn hào duì】🍰PCI外围设备等等🐀操作同【cāo zuò tóng】时进行🙂。系统智🏾能越高，同CPU并行的🔱操作越多，性能提高越多📟。